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­El próximo 10 de diciembre se concederá el Premio Nobel de Física al francés Albert Fert y al alemán Peter Grünberg por el descubrimiento, al mismo tiempo pero de forma separada, del fenómeno físico que permite que hoy en día se pueda disfrutar de dispositivos de memoria de gran capacidad a tamaños reducidos: la magnetorresistencia gigante (GMR). Según la propia Real Academia Sueca de Ciencias, que concede el premio, "Gracias a esta tecnología ha sido posible una miniaturización radical de los discos duros en los últimos años".

Como es sabido, la información en cualquier dispositivo electrónico de memoria se almacena utilizando un sistema binario representado por las cifras 0 y 1. Cuanto más pequeña sea la representación de estos valores, más información cabe en el mismo espacio. Sin embargo, disminuir el tamaño de esta representación y que al mismo tiempo sea legible es cada vez más difícil. Albert Fert y Peter Grünberg permitiero un notorio avance al descubrir cómo variaba la resistencia eléctrica de un material cuando este era sometido a campos magnéticos.

En un material conductor, los electrones (cargas negativas) se mueven de un punto a otro produciendo corriente eléctrica. La propia estructura del metal, sus impurezas e irregularidades, hacen que los electrones se dispersen de su camino, disminuyendo así la corriente. Es lo que se llama ‘resistencia eléctrica’ del material. Cuanto mayor sea la resistencia menor será la corriente y viceversa. Fert y Grümberg descubrieron que la resistencia puede cambiarse sometiendo al conductor a los efectos de un campo magnético, ¿por qué?:

­­Resulta que la carga negativa no es la única propiedad de los electrones, sino que, debido a que son partículas que rotan sobre sí mismas (semejante al movimiento de rotación de un planeta), tienen otra cualidad: el ‘spin’, definido por el sentido de giro (por lo que sólo puede tener dos valores).

En un material magnetizado, la mayoría de los electrones mantienen el mismo ‘spin’, es decir, giran en el mismo sentido. Si se hace pasar una corriente de electrones por ese material, los que tengan un ‘spin’ diferente serán dispersados, lo que se traduce en un aumento de la resistencia.

Para aplicar todo esto al almacenamiento y lectura de información se apilan láminas de metal muy delgadas de las cuales algunas se magnetizan y otras no. Al hacer pasar una corriente de electrones por esas láminas se mide la resistencia encontrada, lo que se puede traducir a los valores binarios 0 (por ejemplo, baja resistencia) y 1 (correspondería a una resistencia alta).

Aunque Fert y Grünberg hicieron su descubrimiento en el año 1988, no fue hasta 1997 cuando la tecnología existente permitió su aplicación. IBM fue la primera empresa que utilizó la magnetorresistencia gigante en sus discos duros. Actualmente se aplica en toda la producción mundial de discos duros y en memorias para dispositivos como reproductores de mp3 y teléfonos móviles.